FET

sigla dell'inglese Field Effect Transistor, transistore a effetto di campo. Il FET è un dispositivo elettronico nel quale il flusso di cariche in una sbarra di semiconduttore (silicio di tipo n o di tipo p) viene controllato da un campo elettrico. La regione di conduzione della sbarra prende il nome di canale. Il FET differisce dal transistore bipolare a giunzione in quanto il funzionamento dipende dal flusso dei soli portatori maggioritari, cioè è un dispositivo unipolare; la sua realizzazione è più semplice e si presta a essere integrata nei circuiti digitali; presenta una elevata impedenza di ingresso (alcuni megaohm) e una tensione di offset nulla. I principali svantaggi sono connessi con i valori relativamente bassi del prodotto amplificazione per larghezza di banda. I tre terminali di connessione denominati source, drain e gate vengono indicati con le lettere S, D, G e corrispondono dal punto di vista funzionale all'emettitore, collettore e base del transistore bipolare a giunzione. Comunemente con la sigla FET viene indicato il transistore a effetto di campo a giunzione (JFET-Junction FET), mentre il transistore a effetto di campo a gate isolato (IGFET-Insulated Gate FET) è noto con la sigla MOSFET.