MOS

sigla dell'inglese Metal-Oxide-Semiconductor (metallo-ossido-semiconduttore), usata per designare transistori a effetto di campo nei quali l'elettrodo di comando (porta) è metallico ed è isolato dall'elemento semiconduttore mediante un sottilissimo strato di ossido. Il MOS è dotato di un'elevatissima resistenza di ingresso (tipicamente 10¹³ ohm), ma è raramente usato nei circuiti a componenti discreti per la modesta riproducibilità delle caratteristiche e la delicatezza della porta, facilmente danneggiata da cariche elettrostatiche prodotte anche per manipolazione. Viceversa, il MOS è usato estensivamente nei circuiti logici a grande scala di integrazione per il ridotto ingombro consentito dalla sua struttura, l'alta immunità ai disturbi elettrici e il limitatissimo consumo di potenza. Le tecnologie digitali a elevata (ed elevatissima) scala di integrazione sono essenzialmente tre: NMOS, PMOS e CMOS. In un transistore NMOS il canale che si trova fra source e drain di tipo n è percorso da cariche negative (cioè elettroni). In un transistore PMOS il canale di tipo p è percorso da cariche positive (cioè lacune). La tecnologia CMOS (Complementary MOS: MOS complementare) colloca nella stessa cella elementare un transistore PMOS e uno NMOS ed è oggi prevalente in termini quantitativi.